11 月 26 日,據業(yè)內人士透露,SK 海力士正準備將 2.5D 扇出封裝技術集成到下一代 DRAM 中。
該芯片可在1.01-1.12超低電壓范圍內工作,每秒可處理68GB數據
在會上,來自Facebook Reality Labs研究部的Michael Abrash發(fā)表了題為"創(chuàng)造未來:增強現(xiàn)實,下一個人機界面"的全體演講。
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